在科技领域的最新进展中，3D NAND闪存技术因其存储单元堆叠的独特设计而备受瞩目，这一设计策略不仅显著提升了存储密度与容量，还有效降低了生产成本。近日，一项创新蚀刻工艺的问世，为3D NAND闪存技术的进一步突破带来了希望。 这项新工艺由Lam ...

据媒体报道，近日，研究人员发现了一种使用先进的等离子工艺在 3D NAND 闪存中蚀刻深孔的更快、更高效的方法。通过调整化学成分，将蚀刻速度提高了一倍，提高了精度，为更密集、更大容量的内存存储奠定了基础。

快科技2月5日消息，3D NAND闪存的设计和制造非常依赖存储单元堆叠，由此可以大幅增加存储密度与容量，降低成本。 最近，来自Lam ...

在当今科技领域，3D NAND闪存技术无疑成为了众人瞩目的焦点。凭借其独特的存储单元堆叠设计，这种技术不仅在存储密度和容量方面表现优秀，还大幅降低了生产成本。最近，由Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校及美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室的科学家联手打造的一项新型蚀刻工艺，为3D NAND闪存的技术革新注入了新的动力。

为了改进数据存储，研究人员正在完善三维 NAND 闪存，这种闪存将单元堆叠起来，以最大限度地利用空间。研究人员发现了一种更快、更高效的方法，可利用先进的等离子体工艺在 3D NAND 闪存中蚀刻深孔。

科技界总是充满惊奇，而最近的一个新发现绝对能让你的技术心脏狂跳不已！由Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校以及美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室的科学家们共同研发的全新蚀刻工艺，让我们对3D NAND闪存的蚀刻效率有了全新的认识。

快科技2月2日消息，据国外媒体报道称，长江存储目前已开始出货第五代3D TLC NAND闪存（闪存中使用了Xtacking 4.0架构），共有294层，以及232个有源层。 具体来说，长江存储第五代3D TLC NAND闪存的位密度据称超过了20Gb ...

据外媒报道，长江存储近日宣布已开始出货其第五代3D TLC NAND闪存。这款闪存采用了Xtacking 4.0架构，堆叠层数高达294层，并拥有232个有源层，实现了技术上的重大突破。长江存储的这一成果标志着公司在闪存技术方面取得了显著进展，已经成功追赶上了韩国、美国等全球领先的存储企业。据悉，Xtacking ...

IT之家 1 月 31 日消息，据外媒 Tom's shardware 报道，长江存储目前已开始出货第五代 3D TLC NAND 闪存，共有 294 层，以及 232 个有源层。 外媒认为长江存储在其闪存中使用了晶栈 4.0（IT之家注：Xtacking 4.0）架构，利用混合键合技术将闪存阵列与 CMOS 逻辑和接口连接起来，以最大限度地提高存储密度和 I/O 性能。

据国外媒体报道称，长江存储目前已开始出货第五代3D TLC NAND闪存（闪存中使用了Xtacking 4.0架构），共有294层，以及232个有源层。 报道中提到 ...

3D NAND技术的快速发展使得存储器的性能大大提升，同时生产成本的控制也成为厂商重点关注的方向。 在使用场景上，NAND闪存广泛应用于数据中心的 ...

据外媒报道，长江存储近日宣布已开始出货其第五代3D TLC NAND闪存。这款闪存采用了Xtacking 4.0架构，堆叠层数高达294层，并拥有232个有源层，实现了 ...