据媒体报道，近日，研究人员发现了一种使用先进的等离子工艺在 3D NAND 闪存中蚀刻深孔的更快、更高效的方法。通过调整化学成分，将蚀刻速度提高了一倍，提高了精度，为更密集、更大容量的内存存储奠定了基础。