在DRAM市场方面，消费者需求持续疲软，尤其在春节假期结束后，这一现象并未得到有效改善。DDR4现货价格因此承受下行压力，价格持续走低。然而，值得注意的是，DDR5产品却出现了意外的临时价格上涨，这主要是由于部分买家的特殊采购需求所致。以下是相关市场趋势的图片展示： ...

在DRAM方面，消费者需求在春节后持续疲软，导致DDR4产品的现货价格持续下跌。然而，由于部分买家对DDR5产品有特殊需求，该类产品出现临时价格上涨。另一方面，由于供应商减产措施尚未完全体现在市场端上，NAND闪存的现货价格仍然维持稳定。

在现代科技飞速发展的浪潮中，3D NAND闪存技术凭借其独特的存储单元堆叠设计，成为了存储行业的明星。其不仅显著提升了存储密度与容量，也有效降低了生产成本。近日，由Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校和美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室 ...

最近，来自Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校、美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室 (PPPL)的众多科学家联合设计了一种新的蚀刻工艺。 其中的关键是在氧化硅和 氮化硅 ...

科技界总是充满惊奇，而最近的一个新发现绝对能让你的技术心脏狂跳不已！由Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校以及美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室的科学家们共同研发的全新蚀刻工艺，让我们对3D NAND闪存的蚀刻效率有了全新的认识。

为了改进数据存储，研究人员正在完善三维 NAND 闪存，这种闪存将单元堆叠起来，以最大限度地利用空间。研究人员发现了一种更快、更高效的方法，可利用先进的等离子体工艺在 3D NAND 闪存中蚀刻深孔。

快科技2月2日消息，据国外媒体报道称，长江存储目前已开始出货第五代3D TLC NAND闪存（闪存中使用了Xtacking 4.0架构），共有294层，以及232个有源层。 具体来说，长江存储第五代3D TLC NAND闪存的位密度据称超过了20Gb ...

据外媒报道，长江存储近日宣布已开始出货其第五代3DTLCNAND闪存。这款闪存采用了Xtacking4.0架构，堆叠层数高达294层，并拥有232个有源层，实现了技术上的重大突破。长江存储的这一成果标志着公司在闪存技术方面取得 ...

近日，据消息，长江存储已经开始了其第五代3DTLCNAND闪存的出货。这款闪存产品采用了Xtacking4.0架构，共有294层和232个有源层。据悉，长江存储已经在新的闪存产品上超越了韩国、美国等其他头部存储企业。目前，该公 ...

IT之家 1 月 31 日消息，据外媒 Tom's shardware 报道，长江存储目前已开始出货第五代 3D TLC NAND 闪存，共有 294 层，以及 232 个有源层。 外媒认为长江存储在其闪存中使用了晶栈 4.0（IT之家注：Xtacking 4.0）架构，利用混合键合技术将闪存阵列与 CMOS 逻辑和接口连接起来，以最大限度地提高存储密度和 I/O 性能。