在现代科技飞速发展的浪潮中，3D NAND闪存技术凭借其独特的存储单元堆叠设计，成为了存储行业的明星。其不仅显著提升了存储密度与容量，也有效降低了生产成本。近日，由Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校和美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室 ...

快科技2月5日消息，3D NAND闪存的设计和制造非常依赖存储单元堆叠，由此可以大幅增加存储密度与容量，降低成本。 最近，来自Lam ...

为了改进数据存储，研究人员正在完善三维 NAND 闪存，这种闪存将单元堆叠起来，以最大限度地利用空间。研究人员发现了一种更快、更高效的方法，可利用先进的等离子体工艺在 3D NAND 闪存中蚀刻深孔。

据媒体报道，近日，研究人员发现了一种使用先进的等离子工艺在 3D NAND 闪存中蚀刻深孔的更快、更高效的方法。通过调整化学成分，将蚀刻速度提高了一倍，提高了精度，为更密集、更大容量的内存存储奠定了基础。

科技界总是充满惊奇，而最近的一个新发现绝对能让你的技术心脏狂跳不已！由Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校以及美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室的科学家们共同研发的全新蚀刻工艺，让我们对3D NAND闪存的蚀刻效率有了全新的认识。

快科技2月2日消息，据国外媒体报道称，长江存储目前已开始出货第五代3D TLC NAND闪存（闪存中使用了Xtacking 4.0架构），共有294层，以及232个有源层。 具体来说，长江存储第五代3D TLC NAND闪存的位密度据称超过了20Gb ...

据外媒报道，长江存储近日宣布已开始出货其第五代3DTLCNAND闪存。这款闪存采用了Xtacking4.0架构，堆叠层数高达294层，并拥有232个有源层，实现了技术上的重大突破。长江存储的这一成果标志着公司在闪存技术方面取得 ...

据外媒报道，长江存储近日宣布已开始出货其第五代3D TLC NAND闪存。这款闪存采用了Xtacking 4.0架构，堆叠层数高达294层，并拥有232个有源层，实现了 ...

据外媒Tom's shardware报道，长江存储已开始出货第五代3D TLC NAND闪存。该闪存共有294层和232个有源层。长江存储使用了晶栈4.0架构，并利用混合键合技术将闪存阵列与CMOS逻辑和接口连接起来，以提高存储密度和I/O性能。目前的规格略低于铠侠和西部数据BiCS8 QLC NAND闪存的22.9Gb/mm?。这使得长江成为全球NAND市场的竞争者之一。

快科技2月2日消息，据国外媒体报道称，长江存储目前已开始出货第五代3D TLC NAND闪存（闪存中使用了Xtacking 4.0架构），共有294层，以及232个有源层。