GaaS（服务型游戏）其实并不算一个新鲜概念，本意指的是一种游戏商业模式：在产品本体上线后，在后续的运营中不断推出更新内容，刺激玩家一直游玩并消费，将游戏从传统的「一次性买断制产品」变成「一项可以持续满足玩家需求的服务」。

5G PA（功率放大器）从2020年上半年开始大力拉动GaAs射频市场。 很明显，GaN和GaAs在应用上有很多重叠，在一些方面GaN还是GaAs的强有力替代者，两者是竞争还是和谐相处，问题有点复杂。 GaN两栖作

Gaas游戏概念. 最近接触到一个概念，那就是Gaas，从业这么多年，说实话我还是第一次听说，就像之前不了解MasterLove（ml）一样，感觉还挺新鲜，于是深度挖掘了一下。想了解MasterLove（ml），可以查看下面这篇文章：

第二代半导体材料是以砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）、磷化铟（InP）为主的化合物半导体，其主要被用于制作高频、高速以及大功率电子器件，在卫星通讯、移动通讯以及光通讯等领域有较为广泛的应用。

GaAs中用背孔一般都是出于接地的用途。GaAs的衬底是非常低损耗的，所以可以在衬底背面金属化来做大片的地平面，利用衬底作为微波结构的介质。CMOS衬底损耗很大，所以一般不这么用。 CMOS上也有TSV(Through Silicon Via)，主要是为了芯片堆叠和高度集成化的封装。

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这里以调制掺杂的异质结为例回答题主的问题。如下图，为交替生长的AlGaAs和GaAs薄层能带示意图，在宽带隙的AlGaAs中掺以施主杂质，而在GaAs层中不掺杂。宽带隙的AlGaAs中电子将向窄带隙的GaAs移动，以便两者的费米能级能达到同一水平。

GaAs：N 发射光子的能量比半导体的带隙低 50～150meV。 结果，光的再吸收影响比按能带边发射的 LED 要小，这也是掺等电子杂质 LED 的主要优点。 格罗夫（Groves）等人指出 [22] ，如果只在有源区掺 N，这一优点就十分明显。

2021年10月24日 · 知乎，中文互联网高质量的问答社区和创作者聚集的原创内容平台，于 2011 年 1 月正式上线，以「让人们更好的分享知识、经验和见解，找到自己的解答」为品牌使命。知乎凭借认真、专业、友善的社区氛围、独特的产品机制以及结构化和易获得的优质内容，聚集了中文互联网科技、商业、影视 ...

PA还是GaAs HBT，SWITCH LNA用soi。 手机射频开关很复杂，bihemt做起来很不方便，况且gaas pa 和开关之间还会有输出匹配，duplexer，滤波器之类的电路，强行做在一个die上没什么意义。